出版物


2016


美国材料研究协会(MRS 2014年春季会议

4H-SiC JFET芯片优质、高速的切割,包括采用热激光分离工艺的PCM结构

 Dirk Lewke, Matthias Koitzsch, Martin Schellenberger, Lothar Pfitzner, Heiner Ryssel, 弗劳恩霍夫集成系统与器材技术研究所(IISB)


2015


2015SNEC(太阳能光伏展)会

采用热激光分离工艺的 光伏电池分离

Hans-Ulrich Zuehlke1),Thomas Kiessling1), Kai Kaufmann2), Norbert Bernhard2,3), Marko Turek3), Felix Kaule3), Stephan Schoenfelder3), Joerg Bagdahn2,3), Dirk Lewke4)  1) 3D-Micromac AG, 2) 安哈尔特应用技术大学, 3) 弗劳恩霍夫太阳能研究所, 4) 弗劳恩霍夫集成系统与器材技术研究所IISB

全球太阳能杂志,第7

提高太阳能电池和太阳能模块效率的激光工艺

Thomas Kiessling, Mandy Gebhardt

Laser Technik Journal, 1/2015

制备大容量样本的新颖激光工具

Thomas Höche、 Michael Krause、Martin Ebert 和 Uwe Wagner

美国材料研究协会(MRS) 2014年春季会议

4H-SiC JFET芯片优质、高速的切割,包括采用热激光分离工艺的PCM结构

Dirk Lewke, Matthias Koitzsch, Martin Schellenberger, Lothar Pfitzner, Heiner Ryssel, 弗劳恩霍夫集成系统与器材技术研究所(IISB)

来源:美国材料研究协会MRS 2014年春季会议之会议记录


2014


Laser Technik Journal, 11 1

高效太阳能电池的激光接触开口

Mandy Gebhardt、Thomas Kießling和 Michael Grimm

美国材料研究协会MRS 2014年春季会议

4H-SiC JFET芯片优质、高速的切割,包括采用热激光分离工艺的PCM结构

Dirk Lewke, Matthias Koitzsch, Martin Schellenberger, Lothar Pfitzner, Heiner Ryssel, 弗劳恩霍夫集成系统与器材技术研究所(IISB)

来源:美国材料研究协会MRS 2014年春季会议会议记录


2013


Laser Technik Journal, 10 1

 柔性有机太阳能电池的激光晰磨

Mandy Gebhardt、Jens Hänel、Frank Allenstein博士、Christian Scholz 和Maurice Clair

ASMC 2013

采用热激光分离工艺,提高电特性,并简化Si基二极管的制造过程

Koitzsch, M.等人

来源:ASMC 2013会议记录。


2012


Future Fab 2012,第42

热激光分离工艺及其应用

 Dirk Lewke, Matthias Koitzsch, Martin Schellenberger, Lothar Pfitzner, Heiner Ryssel, 弗劳恩霍夫集成系统与器材技术研究所(IISB)

Hans-Ulrich Zühlke, Jenoptik Automatisierungstechnik GmbH

美国材料研究协会MRS 2012年春季会议

 采用激光分离工艺,对4H-SiC芯片进行自由的烧蚀划片,其送粉速率达到200 mm/s

 Lewke, D., M. Koitzsch, M. Schellenberger, L. Pfitzner, H. Ryssel, H.-U. Zühlke

来源:美国材料研究协会MRS2012年春季会议之碳化硅材料、工艺加工和设备讨论会会议记录

ISCDG 2012

热激光分离工艺的先进真空芯片划片

  1. Le-Barillec, M. Davenet, A. Favre, B. Bellet, adixen Vacuum Products, Annecy, 法国
  2. Koitzsch, D. Lewke, M. Schellenberger, Fraunhofer IISB, Erlangen, 德国

H-U. Zühlke, JENOPTIK, Jena, 德国

CSSC6 2012

热激光分离工艺-芯片和太阳能电池的无损、无割痕切割

Koitzsch, M.等人

来源:2012年10月8-11日法国艾克斯-雷-百恩第6届太阳能电池晶体硅国际研讨会会议记录

ASMC 2012

采用热激光分离工艺,增强大小达到450 mm的单晶硅芯片大小调整的能力

  1. Koitzsch, D. Lewke, M. Schellenberger, L. Pfitzner, H. Ryssel, H.-U. Zühlke

来源:2012年在萨拉托加温泉召开的ASMC 2012会议记录